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トランジスタ

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トランジスタは、電流によって電流を制御する半導体デバイスです。弱い信号を大きな振幅の信号に増幅する機能を持ち、非接触スイッチとしても使用されます。

トランジスタは、P型およびN型の半導体からなる3層構造です。これらは内部で3つの領域を形成します。中間の薄い部分がベース領域で、他の2つはN型またはP型です – 多数キャリアが集中する小さな領域がエミッタ領域、もう一方がコレクタ領域です。この構成により、トランジスタは増幅器として機能します。 これら3つの領域からそれぞれ3つの極が生成され、それぞれベース（b）、エミッタ（e）、コレクタ（c）となります。これらは2つのP-N接合、すなわちエミッタ接合とコレクション接合を形成します。トランジスタの回路記号内の矢印の方向は、エミッタ接合の方向を示しています。

半導体のタイプに基づいて、トランジスタはNPN型とPNP型の2つのグループに分けられます。略称から、前者は2つのN型半導体と1つのP型で構成されており、後者はその逆です。下の図を参照してください。

注釈

s8550はPNPトランジスタで、s8050はNPNトランジスタです。非常によく似ていますが、ラベルを注意深く確認する必要があります。

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NPNトランジスタにHighレベルの信号が流れると、それはエネルギーを得ます。しかし、PNP型トランジスタはLowレベルの信号で動作します。どちらのタイプのトランジスタも、この実験のように、非接触スイッチに頻繁に使用されます。

ラベル側を向け、ピンを下に向けて配置します。左から右へのピンはエミッタ（e）、ベース（b）、コレクタ（c）です。

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例