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トランジスタ

img_NPN&PNP

トランジスタは、電流で電流を制御する半導体素子です。弱い信号を大きな振幅の信号に増幅することで動作し、非接触スイッチとしても使用されます。

トランジスタは、P型およびN型半導体で構成された3層構造を持っています。内部で3つの領域を形成し、その中で最も薄い部分がベース領域であり、他の2つはどちらもN型またはP型の領域です。小さな領域で多数キャリアが集中しているのがエミッタ領域で、もう一方がコレクタ領域です。この構成により、トランジスタは増幅器として機能します。 これらの3つの領域からそれぞれベース（b）、エミッタ（e）、コレクタ（c）の3つの端子が生成され、2つのP-N接合、すなわちエミッタ接合とコレクタ接合を形成します。トランジスタ回路記号内の矢印の向きは、エミッタ接合の向きを示しています。

半導体の種類に基づいて、トランジスタはNPN型とPNP型の2つのグループに分けられます。略語から、前者は2つのN型半導体と1つのP型半導体で構成され、後者はその逆であることが分かります。以下の図を参照してください。

注釈

s8550はPNP型トランジスタで、s8050はNPN型トランジスタです。見た目は非常に似ているため、ラベルを確認することが重要です。

img_transistor_symbol

高レベル信号がNPN型トランジスタを通過すると、それがエネルギーを供給します。しかし、PNP型トランジスタは低レベル信号を必要とします。両方のタイプのトランジスタは、非接触スイッチとして頻繁に使用されます。この実験でも同様です。

ラベル面を自分に向け、ピンを下に向けて配置します。ピンは左から順にエミッタ（e）、ベース（b）、コレクタ（c）です。

img_ebc

注釈

  • ベースは大きな電力供給を制御するゲートデバイスです。

  • NPN型トランジスタでは、コレクタが大きな電力供給で、エミッタがその電力の出口です。PNP型トランジスタではその逆になります。

例