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トランジスタ

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トランジスタは、電流によって電流を制御する半導体デバイスです。微弱な信号を高振幅信号に増幅する機能を持ち、非接触スイッチとしても利用されます。

トランジスタはP型とN型の半導体から成る三層構造です。これらは内部で三つの領域を形成しています。中央の薄い部分がベース領域で、両端のN型またはP型の領域のうち、過剰キャリアが集中する小さい方がエミッタ領域、もう一方がコレクタ領域です。この構造によって、トランジスタは増幅器として機能します。これら三つの領域からそれぞれ三つの極（ベース（b）、エミッタ（e）、コレクタ（c））が形成されます。さらに、エミッタ接合とコレクタ接合という二つのP-N接合が形成されます。回路記号内の矢印の方向はエミッタ接合の方向を示しています。

半導体の種類によって、トランジスタはNPNとPNPの二つのグループに分類されます。略称からもわかるように、前者はN型半導体が二つとP型半導体が一つからなり、後者はその逆です。下図を参照してください。

注釈

s8550はPNP型のトランジスタで、s8050はNPN型です。見た目が非常に似ているため、ラベルを注意深く確認する必要があります。

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NPN型トランジスタを通るときにはハイレベル信号で動作しますが、PNP型はローレベル信号で動作します。いずれも非接触スイッチとしてよく使われています。

ラベル面を自分に向け、ピンを下向きにすると、左から右にエミッタ（e）、ベース（b）、コレクタ（c）となります。

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