トランジスタ

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トランジスタは、電流によって電流を制御する半導体デバイスです。微弱な信号を大きな振幅の信号に増幅する機能を持ち、非接触スイッチとしても使用されます。

トランジスタは、P型およびN型の半導体から成る3層の構造です。これらは内部で三つの領域を形成しています。中央の薄い部分がベース領域、残りの2つ（どちらもN型またはP型）のうち、多数キャリアが集中している小さい方がエミッタ領域、もう一方がコレクタ領域です。この構成により、トランジスタは増幅器として動作します。 これら3つの領域からは、それぞれベース(b)、エミッタ(e)、コレクタ(c)の三つの極が生成されます。これらは2つのP-N接合、すなわち、エミッタ接合およびコレクタ接合を形成します。トランジスタの回路記号の矢印の方向は、エミッタ接合の方向を示しています。

半導体の種類に基づいて、トランジスタはNPN型とPNP型の2つのグループに分けられます。略語から、前者は2つのN型半導体と1つのP型でできており、後者はその逆であることがわかります。以下の図を参照してください。

注釈

s8550はPNP型のトランジスタで、s8050はNPN型です。外見は非常に似ているため、ラベルをよく確認する必要があります。

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高レベルの信号がNPNトランジスタを通過すると、それは励起されます。しかし、PNP型は低レベルの信号が必要です。両方のタイプのトランジスタは、この実験のように非接触スイッチとして頻繁に使用されます。

ラベル面を自分に向けて、ピンを下にして置きます。左から右に、エミッタ(e)、ベース(b)、コレクタ(c)の順になります。

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注釈

  • ベースは、より大きな電気供給のためのゲートコントローラデバイスです。

  • NPNトランジスタでは、コレクタが大きな電気供給で、エミッタがその供給の出口です。PNPトランジスタはその逆です。

例